SiC單晶片加工工藝優(yōu)化及其表面表征 瀏覽次數(shù):2 內(nèi)容提示:jj。一。I一, .』■jI加_ +:?,、j 7影7,、∥ 一一。 。j:?t: I冬一一一彩∥ 00,而在眾多的外延晶片表面缺陷中,三角型缺陷的數(shù)量多,器件失效率 高,因此,減少三角型缺陷的產(chǎn)生成為 SiC 外延工 藝優(yōu)化的 [67] 。在此背景下,

SiCAl3Ti協(xié)同增強7075鋁基復合材料攪拌工藝優(yōu)化研究 Optimization Study on Stirring Process for Si CAl3Ti Synergistically Enhanced 7075 Aluminum Matrix,摘要:通過光學顯微鏡和表面缺陷檢測儀對4HSiC外延晶片表面三角型缺陷進行觀測和分析,發(fā)現(xiàn)三角型缺陷大致可以分為兩類:頭部無任何異物的三角型缺陷和

納米SiC顆粒增強鎂基復合材料半固態(tài)攪拌法制備工藝優(yōu)化 Process Optimization of SiC Nanoparticle Reinforced Magnesium Matrix Composites Prepared by Semisolid,本文研究了4HSiC DSRD的優(yōu)化設計并對關鍵的工藝難點進行了探索。首先建立了4HSiC DSRD二維數(shù)值模型,結合電路仿真討論了1.2kV 4HSiC DSRD體結構參數(shù)對

本文以SIC公司為研究對象,綜合運用供應鏈,供應鏈管理,以及庫存管理的相關理論,對供應鏈環(huán)境下的庫存管理進行了研究,通過比較幾種供應鏈庫存管理模式(VMI、JMI和CFPR,【摘要】:實驗選用無水乙醇為液相介質,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作為修飾劑,采用高能球磨法,成功制備出分散良好的納米碳化硅粉。通過正交實驗,分析了球磨時間、碳化硅顆粒

摘要: 碳化硅作為第三代半導體材料,應用廣泛。如何獲得高質量的晶片表面,是目前必須解決的重要問題。本論文通過線切割、研磨、化學機械拋光及西安工業(yè),研究了SiC單晶的生長工藝,分析了在溫度及溫度梯度一定時,壓強對SiC晶體表面形態(tài)的影響,目的是優(yōu)化SiC單晶的生長工藝。分析了釩(V)摻雜SiC中V摻入量的影響因素,并

工 學指 指導導教教師: 蒲紅斌 教授申 申請請日日期: 3 2013 年年 6 06 月新型SiC二極管的結構優(yōu)化及其工藝流程設計苗東銘西安理工大學 獨 倉刂性 聲,(C 超精密研磨工藝參數(shù)優(yōu)化設計學生姓名: 所在院系: 機電學院 所學專業(yè): 機械天然碳化硅在自然界中存在很少,工 業(yè)中使用的碳化硅微粉大多是由人工

(JBS,Junction Barrier Schottky diode)的門限電壓,本文提出了一種新型SiC二極管Silvaco軟件對該新型二極管開展結構尺寸和材料參數(shù)優(yōu)化設計工作,并,【摘要】:通過光學顯微鏡和表面缺陷檢測儀對4HSiC外延晶片表面三角型缺陷進行觀測和分析,發(fā)現(xiàn)三角型缺陷大致可以分為兩類:頭部無任何異物的三角型缺陷和頭部帶有

性能的高碳/低碳Si C纖維(BN界面)增強Si(B)CN基復合材料,并進一步優(yōu)化其吸波1 葉昉結構吸波型SiC_f/Si(B)CN的設計/制備基礎與性能優(yōu)化[D]西北工業(yè)大學,為此,本文采用軟件仿真方法,以20kVSiC門極可關斷晶閘管(GTO)為例,開展超高壓SiC pGTO晶閘管結構設計與優(yōu)化研究工作,研究器件的開通機制以及溫度和少子壽命對器件

本論文主要進行碳化硅單晶拋光片加工技術的研究,在研究過程中,結合本實驗室已 經(jīng)總結出的的SiC單晶加工的參數(shù),進一步優(yōu)化SiC單晶片的加工工藝技術,進,分類號UDC 1108090469Si SiC異質結制備工藝優(yōu)化及其特性分析 2014年3月Si SiC異質結制備工藝及其特性分析 西安理工大學目錄 Si6H SiC異質結研究背景意

內(nèi)容提示: 分類號 學號 M201672102 代碼 10487 密級 碩士學位論文 SiC DSRD 器件 優(yōu)化 設計 與 關鍵 工藝 研究 學位申請人: 子越 學科專業(yè): 微,